Projekty zaměřené na studium a vývoj radiačních detektorů založených na grafénu
Zpět na seznam
Cílem projektů je návrh a konstrukce detektorů založených na grafénových tranzistorech s
polním jevem (GFET). Princip detekce ionizujícího záření tímto typem detektoru je založen,
oproti konvenčním typům, na změně vodivosti grafénu v důsledku absorpce energie v
polovodivé vrstvě pod grafénem. Od tohoto typu detektoru se očekává lepší spektrometrické
rozlišení oproti tradičním detektorům pracujících při pokojové teplotě. Součástí projektu je návrh
a realizace detektoru založeného na grafénu, který využívá kvantového tunelového jevu pro
odstranění náboje akumulovaného pod grafénem. Tento návrh je originálním příspěvkem
navrhovatele k řešení problému s detekcí jednotlivých částic ionizujícího záření. Tyto detektory
budou vyráběny na předních technologických institucích v zahraničí a následně analyzovány a
optimalizovány pomocí numerických nástrojů (TCAD a Quantumwise Atomistix ToolKit) a
charakterizovány experimentálními technikami doplněnými novou R/O elektronikou, a to jak v
laboratořích navrhovatele, tak i na externích pracovištích tuzemských výzkumných institucí.
- Bakalářská práce
-
Simulace činnosti detektoru ionizujícího záření založeného na grafénu pomocí balíku TCAD
- Numerická analýza polovodičových součástek pomocí balíku TCAD
- Křemíkový detektor s povrchovou bariérou (referenční detektor)
- Návrh a simulace grafénového tranzistoru s polním jevem jako detektoru ionizujícího záření
- Srovnání obou typů detektorů
- Diplomová práce (včetně výzkumného úkolu)
-
Experimentální studium detektorů ionizujícího záření založených na grafénu
- Návrh a realizace experimentálních nástrojů pro studium detektorů
ionizujícího záření založených na grafénu
- Realizace experimentů, vyhodnocování dat
- Srovnání obdržených výsledků s výsledky prezentovanými jinými výzkumnými skupinami
- Disertační práce
-
Vývoj detektorů ionizujícího záření založených na grafénu
- Technologické návrhy detektorů ionizujícího záření založených na grafénu
- Návrh experimentů a numerických simulací, spolupráce se zahraničními výzkumnými centry
- Fyzikální interpretace naměřených dat
- Vedení studentů
- Bakalářská nebo diplomová práce (včetně výzkumného úkolu)
-
Experimentální studium křemíkových detektorů těžkých nabitých částic s ohmickým kontaktem ve formě grafénové vrstvy
- Vliv ohmického kontaktu na spektrometrické vlastnosti křemíkových detektorů těžkých nabitých částic
- Fyzikální vlastnosti grafénové vrstvy na křemíku
- Nanášení grafénové vrstvy na křemík; zjištění, zda je možné využít 3D tiskárny
- Rozložení elektrického pole pod grafénovou vrstvou
- Měření spektrometrických vlastností detektorů s ohmickým kontaktem ve formě grafénové vrstvy
Diplomová práce (včetně výzkumného úkolu) nebo disertační práce
Vylepšení spektrometrických vlastností pro detekci iontů pixelovými detektory pomocí grafénu
- Spolupráce na výše uvedené bakalářské či diplomové práci nebo vlastní experimentální studium
křemíkových detektorů těžkých nabitých částic s ohmickým kontaktem ve formě grafénové vrstvy
- Analýza spektrometrického rozlišení TPX zařízení v případě polohově citlivé detekce iontů
- Návrh a realizace technologických postupů přípravy ohmických kontaktů založených na grafénu
- Návrh a realizace experimentů; analýza dat
- Diskuze s domácími i zahraničními odborníky